| Применение Dual-beam технологии для создания прототипа матрицы энергонезависимой памяти на фазовых переходах |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Ануфриев Ю.В. |
| | Зенова Е.В. |
| | Кондратьев П.К. |
| | Балашов Д.С. |
| | Сальников С.М. |
| Год публикации |
| | 2010 |
| УДК |
| | 621.382 |
|
| Аннотация |
| | В статье рассматривается один из возможных способов создания прототипа матрицы ячеек энергонезависимой памяти с использованием Dual-beam технологии. Предложенная технология в будущем позволит изготавливать матрицы энергонезависимой памяти на фазовых переходах, внедренных в структуру СБИС. |
| Ключевые слова |
| | Энергонезависимая память, PRAM, Dual-beam, FEI, наноразмерная. |
| Ссылка на статью |
| | Ануфриев Ю.В., Зенова Е.В., Кондратьев П.К., Балашов Д.С., Сальников С.М. Применение Dual-beam технологии для создания прототипа матрицы энергонезависимой памяти на фазовых переходах // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов / под общ. ред. академика А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2010. С. 658-661. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2010/papers/m10-356-17292.pdf |
