| Новая модель порогового напряжения коротко-канального SiC МОП транзистора с глубокими примесями и уровнями захвата |
|
|
| Авторы |
| | Буниатян В.В. |
| | Айрапетян В.М. |
| | Арутюнян В.М. |
| | Тамразян А.А. |
| Год публикации |
| | 2008 |
| УДК |
| | 621.382.32 |
|
| Аннотация |
| | Проведено теоретическое исследование зависимости порогового напряжения от короткоканального SiC МОП транзистора с учетом того, что примеси в канале транзистора являются глубокими, а в
запрещенной зоне присутствуют центры захвата для
электронов. Учтен фактор влияния от присутствия поверхностного состояния и двухмерного распределения потенциала под затвором. Предложена новая аналитическая модель расчета порогового напряжения транзистора с субмикронным каналом. |
| Ключевые слова |
| | короткоканальный SiC МОП транзистор, пороговое напряжение, глубокие легирирующие примеси, центры захвата |
| Ссылка на статью |
| | Буниатян В.В., Айрапетян В.М., Арутюнян В.М., Тамразян А.А. Новая модель порогового напряжения коротко-канального SiC МОП транзистора с глубокими примесями и уровнями захвата // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2008. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2008. С. 225-230. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2008/39.pdf |
