| Логико-временной анализ надежности цифровых СБИС с учетом эффектов деградации NBTI и HCI |
|
|
| Авторы |
| | Гудкова О.Н. |
| | Гаврилов С.В. |
| Год публикации |
| | 2008 |
| УДК |
| | 621.3.049.77:658.512 |
|
| Аннотация |
| | На нынешнем этапе развития КМОП технологий на надежность цифровых СБИС сильно влияют такие деградационные факторы как NBTI (Negative Bias Temperature Instability) и HCI (Hot Carrier Injection), оказывающие существенное влияние на срок службы полупроводниковых приборов. В некоторых новых версиях промышленных САПР (например, Cadence - Ultrasim) появились средства анализа влияния этих факторов на надежность схемы на электрическом уровне. Однако, реальный срок службы в значительной степени зависит от логики работы СБИС, поэтому создание средств анализа надежности на логическом уровне является актуальной задачей. В данной работе предпринята попытка решить обозначенную проблему на основе
реального анализа логических состояний узлов и транзисторов. |
| Ключевые слова |
| | Температурная нестабильность при отрицательном смещении, инжекция горячих носителей, статический временной анализ, пороговое напряжение |
| Ссылка на статью |
| | Гудкова О.Н., Гаврилов С.В. Логико-временной анализ надежности цифровых СБИС с учетом эффектов деградации NBTI и HCI // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2008. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2008. С. 30-35. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2008/03.pdf |
