Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Анализ тенденций развития полевых транзисторов
Авторы
	Жалнин В.П.
	Власов А.И.
	Коробенко И.С.
	Шадрин Ю.А.
Год публикации
	2022
DOI
	10.31114/2078-7707-2022-2-53-60
УДК
	004.3, 004.41
Аннотация
	В современной электронике при масштабировании транзисторов все большее влияние оказывают короткоканальные эффекты и токи утечки, которые ликвидируются за счет измененных структур полевых транзисторов, среди которых кремний на изоляторе, транзистор с двойным затвором, сегментированный транзистор, транзистор с гребнеподобным каналом, ленточный и трубчатый транзисторы с окруженным затвором каналом, а также исследуются такие структуры как графеновые транзисторы и транзисторы с вертикальным положением канала. Они позволяют не только улучшить электрические характеристики транзисторов, но и повысить плотность их размещения и повысить энергоэффективность. Предлагается разделить все виды структур по положению канала, поскольку именно это позволяет снизить влияние нежелательных эффектов в работе транзисторов. В результате разработчики и производители могут подобрать оптимальную конструктивную реализацию в соответствии с техническими требования к интегральной схеме и себестоимости одного формируемого транзистора.
Ключевые слова
	короткоканальный эффект, ток утечки, полевой транзистор с двойным затвором, сегментированный транзистор, кремний на изоляторе, транзистор с гребнеподобным каналом, нанотрубки, нанолист, графен, вертикальный канал.
Ссылка на статью
	Жалнин В.П., Власов А.И., Коробенко И.С., Шадрин Ю.А. Анализ тенденций развития полевых транзисторов // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2022. Выпуск 2. С. 53-60. doi:10.31114/2078-7707-2022-2-53-60
Адрес статьи
	http://www.mes-conference.ru/data/year2022/pdf/D017.pdf