| Исследование физических процессов в алмазных датчиках УФ излучения на основе спектральных и вольт-амперных характеристик |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Шепелев В.А. |
| | Алтухов А.А. |
| | Сигов А.С. |
| | Фещенко В.С. |
| Год публикации |
| | 2021 |
| DOI |
| | 10.31114/2078-7707-2021-3-146-151 |
| УДК |
| | 47.09.29/47.14.07/47.33.33 |
|
| Аннотация |
| | Изучение фотоэлектрических свойств алмазных датчиков актуально для разработки систем на их основе, применяемых в различных областях. В настоящей работе описаны результаты проведённых экспериментальных исследований данных свойств. Спектральные характеристики фоточувствительности алмазных датчиков УФ излучения существенным образом различаются по форме в зависимости от напряжения смещения. Полученные в работе данные представляют собой серию спектров фоточувствительности, снятых при незначительных изменениях приложенного напряжения смещения от спектра к спектру и объединённых в трёхмерные спектрально-вольт-амперные характеристики. При работе с полученными данными предложен метод исследования физических процессов в алмазных датчиках УФ излучения с помощью нормирования спектрально-вольт-амперных характеристик. |
| Ключевые слова |
| | алмаз, планарная конструкция, УФ фотоприёмник, фотоэлектрические свойства. |
| Ссылка на статью |
| | Шепелев В.А., Алтухов А.А., Сигов А.С., Фещенко В.С. Исследование физических процессов в алмазных датчиках УФ излучения на основе спектральных и вольт-амперных характеристик // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2021. Выпуск 3. С. 146-151. doi:10.31114/2078-7707-2021-3-146-151 |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2021/pdf/D073.pdf |
