Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

GaAs МИС малошумящего усилителя Х-диапазона
Авторы
	Кудабай Е.С.
	Салих А.
	Мосейчук В.А.
	Брагин Д.С.
Год публикации
	2021
DOI
	10.31114/2078-7707-2021-3-166-170
УДК
	621.375.132
Аннотация
	При разработке активных фазированных антенных решеток (АФАР) немалое значение имеет выбор малошумящего усилителя (МШУ). Цель данной работы заключалась в проектировании монолитно-интегральной схемы (МИС) МШУ X-диапазона (7-13 ГГц) на основе технологии арсенид галлиевого (GaAs) транзистора с повышенной подвижностью электронов (pHEMT) для использования в АФАР. При разработке МИС МШУ использовалась библиотека элементов на базе технологического маршрута GaAs pHEMT 0,15 мкм с применением САПР AWR Microwave Office. Разработанный усилитель основан на транзисторах с общим истоком с последовательной отрицательной обратной связью (ООС) в виде высокоомного отрезка линии передач, а также с параллельной ООС для согласования коэффициента шума и коэффициента усиления по мощности (КПМ) в соответствии с методикой совмещенного согласования. В результате выполнения работы удалось спроектировать МИС МШУ с коэффициентом усиления не менее 20 дБ. Коэффициент шума усилителя составил 1,5 дБ, коэффициент отражения от входа и выхода составил не более -15 дБ. Итоговые габариты топологии МИС составили 2,55х1,55 мм2.
Ключевые слова
	арсенид галлия (GaAs), HEMT, МШУ, Х-диапазон, СВЧ МИС, коэффициент шума, метод совмещенного согласования.
Ссылка на статью
	Кудабай Е.С., Салих А., Мосейчук В.А., Брагин Д.С. GaAs МИС малошумящего усилителя Х-диапазона // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2021. Выпуск 3. С. 166-170. doi:10.31114/2078-7707-2021-3-166-170
Адрес статьи
	http://www.mes-conference.ru/data/year2021/pdf/D030.pdf