Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Математическая модель элемента SOT-MRAM на основе спинового эффекта Холла  

Авторы
 Островская Н.В.
 Скиданов В.А.
 Юсипова Ю.А.
Год публикации
 2021
DOI
 10.31114/2078-7707-2021-2-2-8
УДК
 538.995+51.74

Аннотация
 В работе рассмотрена модель элемента магнитной памяти SOT-MRAM с продольной анизотропией свободного слоя. Построена динамическая система, описывающая динамику намагниченности в свободном слое данного элемента. Проведен ее качественный анализ.
Ключевые слова
 В работе рассмотрена модель элемента магнитной памяти SOT-MRAM с продольной анизотропией свободного слоя. Построена динамическая система, описывающая динамику намагниченности в свободном слое данного элемента. Проведен ее качественный анализ.
Ссылка на статью
 Островская Н.В., Скиданов В.А., Юсипова Ю.А. Математическая модель элемента SOT-MRAM на основе спинового эффекта Холла // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2021. Выпуск 2. С. 2-8. doi:10.31114/2078-7707-2021-2-2-8
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2021/pdf/D009.pdf

Copyright © 2009-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН