| Моделирование распределения тепловых потоков в СВЧ монолитных интегральных схемах на основе нитрид-галлиевых HEMT-транзисторов |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Зенченко Н.В. |
| | Мальцев П.П. |
| | Глинский И.А. |
| Год публикации |
| | 2020 |
| УДК |
| | 621.382.323 |
|
| Аннотация |
| | В работе представлены результаты моделирования распределения тепловых потоков в монолитных интегральных схемах (МИС), в основе которых лежат HEMT-транзисторы с гетероструктурами AlGaN/GaN. Представлена методика моделирования, учитывающая профиль распределения тепловыделения в гетероструктуре HEMT-транзистора, рассчитанный с помощью TCAD Atlas. Исследована зависимость нагрева канала HEMT-транзистора от топологии и методики монтажа кристалла на оснастку. |
| Ключевые слова |
| | HEMT, нитрид галлия, моделирование, метод конечных элементов, тепловые потоки. |
| Ссылка на статью |
| | Зенченко Н.В., Мальцев П.П., Глинский И.А. Моделирование распределения тепловых потоков в СВЧ монолитных интегральных схемах на основе нитрид-галлиевых HEMT-транзисторов // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2020. Выпуск 4. С. 103-107. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2020/pdf/D110.pdf |
