Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Моделирование распределения тепловых потоков в СВЧ монолитных интегральных схемах на основе нитрид-галлиевых HEMT-транзисторов  

Авторы
 Зенченко Н.В.
 Мальцев П.П.
 Глинский И.А.
Год публикации
 2020
УДК
 621.382.323

Аннотация
 В работе представлены результаты моделирования распределения тепловых потоков в монолитных интегральных схемах (МИС), в основе которых лежат HEMT-транзисторы с гетероструктурами AlGaN/GaN. Представлена методика моделирования, учитывающая профиль распределения тепловыделения в гетероструктуре HEMT-транзистора, рассчитанный с помощью TCAD Atlas. Исследована зависимость нагрева канала HEMT-транзистора от топологии и методики монтажа кристалла на оснастку.
Ключевые слова
 HEMT, нитрид галлия, моделирование, метод конечных элементов, тепловые потоки.
Ссылка на статью
 Зенченко Н.В., Мальцев П.П., Глинский И.А. Моделирование распределения тепловых потоков в СВЧ монолитных интегральных схемах на основе нитрид-галлиевых HEMT-транзисторов // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2020. Выпуск 4. С. 103-107.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2020/pdf/D110.pdf

Copyright © 2009-2023 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН