Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Приемопередающие МИС на нитриде галлия диапазона 60 ГГц
Авторы
	Мальцев П.П.
	Гнатюк Д.Л.
	Матвеенко О.С.
	Путинцев Б.Г.
Год публикации
	2020
DOI
	10.31114/2078-7707-2020-4-208-211
УДК
	621.38.049.77
Аннотация
	В статье представлены результаты разработки и исследований монолитных интегральных схем (МИС)), изготовленных по 0,14 мкм GaN HEMT технологии на подложках Al2O3, предназначенных для работы в приемопередающих модулях диапазона 60 ГГц. Измерения изготовленных образцов системы на кристалле, включающей ГУН, смеситель и МШУ, продемонстрировали работоспособность в диапазоне 66-69 ГГц. Выходная мощность в передающем тракте составила не менее 10 дБм, диапазон перестройки гетеродина не менее 2 ГГц. Потребляемая мощность МИС составила 520 мВт.
Ключевые слова
	V-диапазон, GaN, HEMT, приемопередающий модуль, система-на-кристалле.
Ссылка на статью
	Мальцев П.П., Гнатюк Д.Л., Матвеенко О.С., Путинцев Б.Г. Приемопередающие МИС на нитриде галлия диапазона 60 ГГц // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2020. Выпуск 4. С. 208-211. doi:10.31114/2078-7707-2020-4-208-211
Адрес статьи
	http://www.mes-conference.ru/data/year2020/pdf/D113.pdf