| Универсальный алгоритм построения линейной модели GaAs pHEMT СВЧ-транзистора для усилительных применений |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Степанов В.И. |
| | Попов А.А. |
| | Сальников А.С. |
| Год публикации |
| | 2020 |
| DOI |
| | 10.31114/2078-7707-2020-4-76-82 |
| УДК |
| | 621.382.3 |
|
| Аннотация |
| | Представлен универсальный алгоритм, позволяющий производить построение линейной модели GaAs pHEMT СВЧ-транзистора с общим истоком, предназначенной для дальнейшего применения в проектировании и моделировании СВЧ монолитных интегральных схем. Алгоритм представляет из себя комбинацию различных методик экстракции паразитных параметров GaAs pHEMT СВЧ-транзистора и позволяет выполнять построение линейных моделей транзисторов, изготовленных на различных предприятиях с варьируемой общей шириной затвора. Ошибка моделирования параметров рассеяния для построенных моделей не превышает 10%. |
| Ключевые слова |
| | GaAs pHEMT, линейная модель, экстракция паразитных параметров, эквивалентная схема, алгоритм автоматизации, «холодный» режим. |
| Ссылка на статью |
| | Степанов В.И., Попов А.А., Сальников А.С. Универсальный алгоритм построения линейной модели GaAs pHEMT СВЧ-транзистора для усилительных применений // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2020. Выпуск 4. С. 76-82. doi:10.31114/2078-7707-2020-4-76-82 |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2020/pdf/D082.pdf |
