Модификация высокоуровневой модели NoCModel 2.0 для моделирования сетей на кристалле с циркулянтными топологиями |
|
|
|
|
Авторы |
| Прилепко П.М. |
| Романов А.Ю. |
| Лежнев Е.В. |
Год публикации |
| 2020 |
DOI |
| 10.31114/2078-7707-2020-4-23-30 |
УДК |
| 004.722 |
|
Аннотация |
| Процесс проектирования подсистемы связи сетей на кристалле (СтнК) в общем виде состоит в определении шести базовых характеристик сети: топологии (организация связи между элементами СтнК); маршрутизации (определение путей перемещения данных в сети); переключения (способ передачи данных в сети); управления потоком (выделение каналов передачи данных в сети); буферизации (способ промежуточного хранения пакетов); арбитража (планирование использования каналов и буферов). Эти шесть основных характеристик, помимо других менее важных, создают большое архитектурное пространство, которое определяет огромное количество вариантов организации СтнК. В данном исследовании была предложена и выполнена модификация высокоуровневой модели СтнК NoCModel 2.0 для обеспечения проведения моделирования циркулянтных топологий, были проведены эксперименты, в результате чего показаны корректность и полезность такой модели для различных применений. |
Ключевые слова |
| сеть на кристалле, топология сети на кристалле, высокоуровневое моделирование, маршрутизация. |
Ссылка на статью |
| Прилепко П.М., Романов А.Ю., Лежнев Е.В. Модификация высокоуровневой модели NoCModel 2.0 для моделирования сетей на кристалле с циркулянтными топологиями // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2020. Выпуск 4. С. 23-30. doi:10.31114/2078-7707-2020-4-23-30 |
Адрес статьи |
| http://www.mes-conference.ru/data/year2020/pdf/D023.pdf |