Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Применение шаблонной модели для аппроксимации дифференциальных характеристик комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом
Авторы
	Пилипенко А.М.
	Прокопенко Н.Н.
	Будяков П.С.
Год публикации
	2020
DOI
	10.31114/2078-7707-2020-1-56-62
УДК
	621.37:621.382.322
Аннотация
	Рассмотрена возможность применения шаблонной модели для аппроксимации дифференциальных характеристик комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом (ПТУП), входящих в состав современных радиационно-стойких интегральных схем (ИС) операционных усилителей c особо малыv уровенtv собственных шумов. Создание шаблонной модели осуществляется путем замены параметров исходной физической модели дробно-рациональными функциями, которые позволяют обеспечить монотонность вольт-амперных характеристик полученной модели. Число дополнительных параметров шаблонной модели невелико, что позволяет использовать для параметрической идентификации стандартные алгоритмы оптимизации. В данной работе показано, что применение шаблонной модели с дополнительными комплектами параметров, полученными для каждой дифференциальной характеристики отдельно, позволяет обеспечить повышение точности аппроксимации выходной проводимости ПТУП – в 6 – 8 раз, а крутизны – в 1.5 раза по сравнению с результатами, полученными для SPICE-модели. Достигнутое повышение точности аппроксимации дифференциальных характеристик позволяет обеспечить уменьшение погрешностей моделирования аналоговых ИС, содержащих данные ПТУП, как минимум в 6 раз по сравнению со стандартной методикой.
Ключевые слова
	полевой транзистор с управляющим p-n-переходом, шаблонная модель, идентификация параметров, метод наименьших квадратов, крутизна характеристики, выходная проводимость.
Ссылка на статью
	Пилипенко А.М., Прокопенко Н.Н., Будяков П.С. Применение шаблонной модели для аппроксимации дифференциальных характеристик комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2020. Выпуск 1. С. 56-62. doi:10.31114/2078-7707-2020-1-56-62
Адрес статьи
	http://www.mes-conference.ru/data/year2020/pdf/D031.pdf