Принципы проектирования отказоустойчивых оперативных запоминающих устройств для космического применения |
|
|
|
|
Авторы |
| Волобуев С.В. |
| Евдокимов А.П. |
| Рябцев В.Г. |
Год публикации |
| 2020 |
DOI |
| 10.31114/2078-7707-2020-2-103-109 |
УДК |
| 004.318 |
|
Аннотация |
| Предлагается архитектура отказоустойчивого оперативного запоминающего устройства, содержащего три канала модулей памяти со встроенными средствами самотестирования и саморемонта. Первый модуль обрабатывает данные устройства управления, второй модуль работает в режиме зеркального отображения данных, третий модуль работает в режиме самотестирования. Если отказал первый модуль памяти, то происходит подключение второго работоспособного модуля памяти. Третий модуль переключается в режим зеркального отображения данных, а первый модуль переходит в режим самотестирования и автоматического саморемонта. Такое взаимодействие модулей памяти каналов многократно повышает надежность систем управления космической техникой. |
Ключевые слова |
| зеркаливание памяти, многократные отказы, резервирование, средства самотестирования и саморемонта. |
Ссылка на статью |
| Волобуев С.В., Евдокимов А.П., Рябцев В.Г. Принципы проектирования отказоустойчивых оперативных запоминающих устройств для космического применения // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2020. Выпуск 2. С. 103-109. doi:10.31114/2078-7707-2020-2-103-109 |
Адрес статьи |
| http://www.mes-conference.ru/data/year2020/pdf/D003.pdf |