SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до –200°C

Петросянц, Константин Орестович; Исмаил-заде, Мамед Рашидович; Самбурский, Лев Михайлович; Харитонов, Игорь Анатольевич

Главная Авторы Статьи Год проведения Тематика Организации Конференция МЭС

SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до –200°C

Авторы

Год публикации

2018

DOI

10.31114/2078-7707-2018-3-111-117

УДК

621.382.323: 536.48

Аннотация

Представлен комплекс доработанных компактных spice-моделей полевых транзисторов: с изолированным затвором (МОПТ, MOSFET) и с p n-переходом (ПТП, JFET) – для схемотехнического моделирования в важном для космических применений диапазоне температуры до 200°C. Все модели построены с использованием подхода, сочетающего макромоделирование на основе стандартных моделей, имеющихся в библиотеке моделей spice, и введения аппроксимирующих зависимостей для температурно-зависимых пара-метров модели. Для всех моделей отработана унифицированная автоматизированная процедура экстракции параметров, обеспечивающая приемлемую для практических применений точность учёта электрических и температурных эффектов в диапазоне температуры от комнатной до 200°C.

Ключевые слова

полевые транзисторы, МОП-транзисторы, JFET-транзисторы, температурное воздействие, экстремальные условия работы, компактные spice-модели, экстракция параметров модели

Ссылка на статью

Петросянц К.О., Исмаил-заде М.Р., Самбурский Л.М., Харитонов И.А. SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до –200°C // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. 2018. Выпуск 3. С. 111-117. doi:10.31114/2078-7707-2018-3-111-117

Адрес статьи

http://www.mes-conference.ru/data/year2018/pdf/D137.pdf