Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Прогнозирование одиночного сбоя в цифровых и аналоговых интегральных схемах по технологическому процессу SAED 14nm FinFet
Авторы
	Меликян В.Ш.
	Петросян А.
	Мхитарян А.Х.
	Айрапетян А.К.
	Аветисян З.
	Мкртчян А.Э.
Год публикации
	2018
DOI
	10.31114/2078-7707-2018-4-76-81
УДК
Аннотация
	При разработке аналоговых интег-ральных схем используются узлы, в которых необходимо применение источников стабильного напряжения. Примерами таких схем являются аналого-цифровые преобразователи, компараторы и т.д. В вышеуказанных системах допустимая погрешность не должна превышать 2-3%. Таким образом, использование источников питания или стабилизаторов напряжения в качестве генераторов стабильного опорного напряжения становится невозможным, поскольку диапазон погрешности данных систем составляет 10%. Возникает задача разработки внутрикристаллических источников стабильного опорного напряжения. Примером такой системы является стабильный транзисторный источник опорного напряжения (ИОН) значение которого равно ширине запрещённой зоны используемого полупроводника. Источник такого типа обеспечивает независимость получаемого опор-ного напряжения от процесса, напряжения питания и абсолютной температуры. В рамках данного исследования по технологическому процессу SAED 14nm FinFet был разработан источник опорного напряжения с номинальным значением 1.2В. В свою очередь, отклонение от номинального значения в зависимости от процесса, напряжения питания и температуры составляет 26мВ. Одним из факторов влияющих на стабильность интегральных схем также является наличие радиации в окружающей среде. Влияние радиации становится критическим в случае использования интегральных схем в системах работающих в условиях интенсивного радиационного фона. К примеру в системах используемых в космосе, в военной технике, в ядерной промышленности. В рамках данной статьи было разработано программное обеспечение (ПО) Spice-Compatible-Single-Event-Upset-Debugger (SCSEUD), которое обеспечивает быстрое моделирование одиночных сбоев в ИС. На вход данного ПО подаётся файл описанный на языке SPICE (SPICE netlist). На выходе получаем файл того же типа, но уже с учетом влияния воздействия радиационного эффекта одиночного сбоя, при моделировании которого получаем возможность измерить воздействие радиационного эффекта на ИОН.
Ключевые слова
	SAED 14nm FinFet; радиация; источник опорного напряжения; деградация параметров; одиночный сбой; SPICE Compatible Single Event Upset Debugger; прямо пропорционально абсолютной температуре; обратно пропорционально абсолютной температуре; заряженная частица; перенапряжение.
Ссылка на статью
	Меликян В.Ш., Петросян А., Мхитарян А.Х., Айрапетян А.К., Аветисян З., Мкртчян А.Э. Прогнозирование одиночного сбоя в цифровых и аналоговых интегральных схемах по технологическому процессу SAED 14nm FinFet // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. 2018. Выпуск 4. С. 76-81. doi:10.31114/2078-7707-2018-4-76-81
Адрес статьи
	http://www.mes-conference.ru/data/year2018/pdf/D133.pdf