Главная
Авторы Статьи Год проведения Тематика Организации Конференция МЭС
Электротермическое моделирование источника опорного напряжения на основе ширины запрещенной зоны кремния |
|
|
|
|
Авторы |
| Дацук А.М. |
| Балашов А.М. |
| Тимошенков В.П. |
| Крупкина Т.Ю. |
Год публикации |
| 2018 |
DOI |
| 10.31114/2078-7707-2018-3-189-193 |
УДК |
| 621.382.001 |
|
Аннотация |
| В данной работе проведено исследование влияния топологического размещения устройств, создающих сильный температурный градиент, на параметры источника опорного напряжения на основе ширины запрещенной зоны кремния. Показано, что традиционное моделирование с использованием моделей HICUM, MEXTRAM и VIBC, даже с учетом параметров саморазогрева, не учитывает температурное влияние окружающих устройств друг на друга. Электротермическое моделирование с применением разработанного технологического файла, описывающего реальные значения проводимости материалов, применяемых в технологии, показало существенное изменение выходного напряжения схемы при высоких температурах. |
Ключевые слова |
| электротермическая симуляция, термическая проводимость кремния, источник опорного напряжения, библиотека базовых компонентов (PDK). |
Ссылка на статью |
| Дацук А.М., Балашов А.М., Тимошенков В.П., Крупкина Т.Ю. Электротермическое моделирование источника опорного напряжения на основе ширины запрещенной зоны кремния // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. 2018. Выпуск 3. С. 189-193. doi:10.31114/2078-7707-2018-3-189-193 |
Адрес статьи |
| http://www.mes-conference.ru/data/year2018/pdf/D118.pdf |
|
|