Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Электротермическое моделирование источника опорного напряжения на основе ширины запрещенной зоны кремния  

Авторы
 Дацук А.М.
 Балашов А.М.
 Тимошенков В.П.
 Крупкина Т.Ю.
Год публикации
 2018
DOI
 10.31114/2078-7707-2018-3-189-193
УДК
 621.382.001

Аннотация
 В данной работе проведено исследование влияния топологического размещения устройств, создающих сильный температурный градиент, на параметры источника опорного напряжения на основе ширины запрещенной зоны кремния. Показано, что традиционное моделирование с использованием моделей HICUM, MEXTRAM и VIBC, даже с учетом параметров саморазогрева, не учитывает температурное влияние окружающих устройств друг на друга. Электротермическое моделирование с применением разработанного технологического файла, описывающего реальные значения проводимости материалов, применяемых в технологии, показало существенное изменение выходного напряжения схемы при высоких температурах.
Ключевые слова
 электротермическая симуляция, термическая проводимость кремния, источник опорного напряжения, библиотека базовых компонентов (PDK).
Ссылка на статью
 Дацук А.М., Балашов А.М., Тимошенков В.П., Крупкина Т.Ю. Электротермическое моделирование источника опорного напряжения на основе ширины запрещенной зоны кремния // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. 2018. Выпуск 3. С. 189-193. doi:10.31114/2078-7707-2018-3-189-193
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2018/pdf/D118.pdf

Copyright © 2009-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН