Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Технология изготовления взаимодополняющих транзисторов на нитриде галлия
Авторы
	Павлов А.Ю.
	Гамкрелидце С.А.
	Томош К.Н.
	Федоров Ю.В.
	Павлов В.Ю.
	Галиев Р.Р.
	Мальцев П.П.
Год публикации
	2018
DOI
	10.31114/2078-7707-2018-3-69-74
УДК
	621.382.323
Аннотация
	В работе раскрыты основные методы формирования нормально закрытых транзисторов на гетероструктурах AlGaN/GaN. Выделены ключевые недостатки и оценена возможность изготовления рассмотренными методами на одном кристалле транзисторов, работающих в режиме обогащения (Enhancement-mode HEMT) и обеднения (Depletion-mode HEMT). Раскрыта суть метода изготовления нормально закрытого транзистора с подзатворным заглублением с использованием «цифрового» травления. Предложен способ низкоэнергетичного бездефектного травления барьерного слоя AlGaN. Использование предложенного способа обеспечивает изготовление “системы-на-кристалле”, реализующей аналоговую и силовую части устройств. Внедрение процесса низкоэнергетичного травления барьерного слоя гетероструктуры AlGaN/GaN в технологический маршрут Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН позволило изготовить на одной пластине транзисторы, работающие как в режиме обеднения, так и транзисторы, работающие в режиме обогащения.
Ключевые слова
	нормально закрытый транзистор, нитрид галлия, гетероструктура, режим обогащения, режим обеднения, барьерный слой, плазмохимическое травление, “система-на-кристалле”, мощность, сверхвысокочастотная полупроводниковая электроника.
Ссылка на статью
	Павлов А.Ю., Гамкрелидце С.А., Томош К.Н., Федоров Ю.В., Павлов В.Ю., Галиев Р.Р., Мальцев П.П. Технология изготовления взаимодополняющих транзисторов на нитриде галлия // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. 2018. Выпуск 3. С. 69-74. doi:10.31114/2078-7707-2018-3-69-74
Адрес статьи
	http://www.mes-conference.ru/data/year2018/pdf/D066.pdf