| Оценка на основе TCAD моделирования устойчивости к сбоям элементов на базе ячеек STG DICE для 65-нм КМОП блоков ассоциативной памяти |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Катунин Ю.В. |
| | Стенин В.Я. |
| Год публикации |
| | 2018 |
| DOI |
| | 10.31114/2078-7707-2018-4-182-189 |
| УДК |
| | 621.382+621.396.6 |
|
| Аннотация |
| | Приводятся результаты моделирования средствами TCAD КМОП элементов по объёмной 65-нм КМОП технологии на основе ячейки памяти STG DICE во время сбора заряда с треков одиночных ядерных частиц, направленных по нормали к поверхности кристалла. Логические элементы предназначены для ассоциативных запоминающих устройств и буферов преобразования адресов. Сбор заряда с треков с линейными потерями энергии частицами на них в диапазоне до 60 МэВ×см2/мг не приводят к сбоям ячеек STG DICE и элементов на их основе. В выходной комбинационной логики элементов совпадения генерируются при сборе заряда импульсы помех длительностью менее 0.6 нс в диапазоне линейных потерь энергии на треках 30–60 МэВ×см2/мг |
| Ключевые слова |
| | логический элемент, моделирование, ядерная частица, устойчивость, компенсация импульсов помех, трек, ячейка памяти. |
| Ссылка на статью |
| | Катунин Ю.В., Стенин В.Я. Оценка на основе TCAD моделирования устойчивости к сбоям элементов на базе ячеек STG DICE для 65-нм КМОП блоков ассоциативной памяти // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. 2018. Выпуск 4. С. 182-189. doi:10.31114/2078-7707-2018-4-182-189 |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2018/pdf/D015.pdf |
