| Механизмы многократных сбоев в микросхемах памяти |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Чумаков А.И. |
| | Согоян А.В. |
| | Боруздина А.Б. |
| | Смолин А.А. |
| | Печенкин А.А. |
| Год публикации |
| | 2016 |
| УДК |
| | 621.382.323 |
|
| Аннотация |
| | В настоящей работе предложена классификация основных механизмов возникновения многократных сбоев при воздействии ТЗЧ. Представлены модели и результаты экспериментальных исследований для различных механизмов многократных сбоев. |
| Ключевые слова |
| | Многократные сбои (МС), СОЗУ, диффузия, вторичные частицы. |
| Ссылка на статью |
| | Чумаков А.И., Согоян А.В., Боруздина А.Б., Смолин А.А., Печенкин А.А. Механизмы многократных сбоев в микросхемах памяти // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2016. № 4. С. 145-152. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2016/pdf/D188.pdf |
