Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Особенности экспериментальных методов исследования микросхем памяти с помехоустойчивым кодированием данных
Авторы
	Боруздина А.Б.
	Темирбулатов М.С.
	Печенкин А.А.
	Уланова А.В.
	Яшанин И.Б.
	Эннс В.И.
	Яненко А.В.
	Чумаков А.И.
Год публикации
	2016
УДК
	621.382.2/.3
Аннотация
	В работе проведен анализ возможных подходов к проведению испытаний микросхем СОЗУ, содержащих встроенные схемы коррекции и исправления информации, на стойкость к воздействию отдельных ядерных частиц (ОЯЧ) по эффектам сбоев. Рассмотрена эффективность применения подхода, предлагаемого фирмой Aeroflex, приведены экспериментальные результаты исследований микросхемы СОЗУ емкостью 16 Мбит при воздействии тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) и источников сфокусированного лазерного излучения.
Ключевые слова
	логические многократные сбои (MBU), физические многократные сбои (MCU) SRAM, коррекция информации.
Ссылка на статью
	Боруздина А.Б., Темирбулатов М.С., Печенкин А.А., Уланова А.В., Яшанин И.Б., Эннс В.И., Яненко А.В., Чумаков А.И. Особенности экспериментальных методов исследования микросхем памяти с помехоустойчивым кодированием данных // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2016. № 4. С. 184-189.
Адрес статьи
	http://www.mes-conference.ru/data/year2016/pdf/D141.pdf