| Исследование влияния разброса технологических параметров СБИС на стойкость к эффектам накопленной дозы радиации с помощью средств приборно-технологического моделирования |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Селецкий А.В. |
| | Шелепин Н.А. |
| | Смолин А.А. |
| | Уланова А.В. |
| Год публикации |
| | 2016 |
| УДК |
| | 621.382.2/.3 |
|
| Аннотация |
| | В данной статье исследуется влияние технологического разброса электрофизических параметров элементов СБИС на токи утечки схем, вызываемые воздействием радиации. В работе представлены результаты приборно-технологического моделирования технологического разброса и подтверждена возможность его существенного влияния на параметры стойкости КМОП СБИС по критерию статического тока потребления к величине накопленной дозы радиации. |
| Ключевые слова |
| | КМОП, технологический разброс, радиационная стойкость, накопленная доза радиации. |
| Ссылка на статью |
| | Селецкий А.В., Шелепин Н.А., Смолин А.А., Уланова А.В. Исследование влияния разброса технологических параметров СБИС на стойкость к эффектам накопленной дозы радиации с помощью средств приборно-технологического моделирования // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2016. № 4. С. 178-183. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2016/pdf/D121.pdf |
