Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов
Авторы
	Петросянц К.О.
	Кожухов М.В.
Год публикации
	2016
УДК
	004.942:621.382.33
Аннотация
	Представлены результаты TCAD моделирования деградации характеристик Si и SiGe биполярных транзисторов после облучения нейтронами, протонами и гамма-квантами с использованием новых моделей, включенных в Sentaurus Synopsys. Общая концепция моделей основана на учете влияния ионизационных эффектов и дефектов смещения на электрофизические параметры τ, S, Nit, Qox. Представлены результаты сравнения смоделированных и экспериментальных характеристик Si и SiGe биполярных транзисторов после радиационного воздействия, которые показывают погрешность 10-20% широком диапазоне потоков и доз.
Ключевые слова
	кремниевые биполярные транзисторы, кремний-германиевые гетеропереходные биполярные транзисторы, приборно-технологическое моделирование, радиационное излучение, нейтроны, протоны, гамма-кванты.
Ссылка на статью
	Петросянц К.О., Кожухов М.В. TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2016. № 4. С. 2-9.
Адрес статьи
	http://www.mes-conference.ru/data/year2016/pdf/D089.pdf