| Сравнительный анализ элементов памяти и усилителей считывания для высокотемпературных СБИС ОЗУ |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Киселева А.А. |
| | Краснюк А.А. |
| | Трепалин А.П. |
| Год публикации |
| | 2016 |
| УДК |
| | 621.382+621.396.6 |
|
| Аннотация |
| | Фундаментальной научной проблемой является определение физико-технологических и конструктивно-схемотехнических решений и методов проектирования для обеспечения функциональной работоспособности интегральных элементов сверхбольших интегральных схем памяти при экстремально высоких уровнях температур и внешних деструктивных факторов. Элементы памяти и усилители считывания (УС) являются одними из наиболее критичных схем в составе КМОП СБИС ОЗУ. Их производительность и помехоустойчивость определяют как время доступа к памяти и производительность работы ОЗУ, так и общую функциональную работоспособность при критических температурных режимах работы. Проведены проектирование и анализ параметров топологических вариантов базовых элементов памяти и усилителей считывания СБИС ОЗУ, сохраняющих работоспособность вплоть до 300оС. |
| Ключевые слова |
| | усилитель считывания, СОЗУ, моделирование, высокотемпературная электроника, топология ИС. |
| Ссылка на статью |
| | Киселева А.А., Краснюк А.А., Трепалин А.П. Сравнительный анализ элементов памяти и усилителей считывания для высокотемпературных СБИС ОЗУ // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2016. № 3. С. 87-92. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2016/pdf/D058.pdf |
