| Особенности переключения намагниченности в ячейках памяти MRAM с планарной анизотропией |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Островская Н.В. |
| | Скиданов В.А. |
| | Юсипова Ю.А. |
| Год публикации |
| | 2016 |
| УДК |
| | 538.955+51.74 |
|
| Аннотация |
| | Построена математическая модель магнитного вентиля c продольной анизотропией, лежащего в основе структуры ячейки памяти MRAM. Проведен анализ устойчивости основных состояний равновесия. Найдены дополнительные состояния равновесия и новые типы динамики намагниченности под влиянием внешнего магнитного поля и спин-поляризованного тока инжекции. |
| Ключевые слова |
| | память MRAM, планарная анизотропия, намагниченность, свободный слой, закрепленный слой, уравнение Ландау–Лифшица–Гильберта, переключение намагниченности. |
| Ссылка на статью |
| | Островская Н.В., Скиданов В.А., Юсипова Ю.А. Особенности переключения намагниченности в ячейках памяти MRAM с планарной анизотропией // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2016. № 4. С. 199-206. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2016/pdf/D037.pdf |
