| Численное моделирование пропускания солнечного излучения в кремниевых фотовольтаических элементах с текстурированной поверхностью |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Хафизов Р.З. |
| | Тимофеев А.Е. |
| Год публикации |
| | 2016 |
| УДК |
| | 535.215.5 |
|
| Аннотация |
| | Выполнено численное моделирование пирамидально текстурированных монокристаллических кремниевых солнечных элементов с однослойным (SiO2) и двухслойным (SiO2 + Si3N4) просветляющими покрытиями. Результаты моделирования использованы для анализа эффективности преобразования излучения с учетом оптического пропускания поверхности солнечного элемента. Моделирование проводилось с использованием САПР SYNOPSYS TCAD. Рассмотрены возможности оптимизации геометрических параметров текстуры и просветляющих покрытий. |
| Ключевые слова |
| | монокристаллический кремний, солнечный элемент, просветляющее покрытие, анизотропное травление, текстура, солнечное излучение. |
| Ссылка на статью |
| | Хафизов Р.З., Тимофеев А.Е. Численное моделирование пропускания солнечного излучения в кремниевых фотовольтаических элементах с текстурированной поверхностью // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2016. № 4. С. 95-99. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2016/pdf/D019.pdf |
