| Физико-топологическое моделирование фотодетекторов интегральных систем оптической коммутации на основе материалов типа AIIIBV с учетом зависимостей подвижностей носителей заряда от напряженности электрического поля |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Писаренко И.В. |
| | Рындин Е.А. |
| Год публикации |
| | 2016 |
| УДК |
| | 621.383.52 |
|
| Аннотация |
| | Данная работа посвящена проблеме исследования и разработки быстродействующих полупроводниковых фотодетекторов, предназначенных для функционирования в составе интегральных систем оптической коммутации совместно с лазерами-модуляторами на основе наногетероструктур типа AIIIBV. Предложены авторские нестационарные численные физико-топологические модели, методы моделирования и прикладные программные средства, которые позволяют исследовать процессы переноса и накопления носителей заряда, протекающие в структурах базовых типов интегральных полупроводниковых фотоприемников. Для повышения адекватности и точности результатов моделирования в предлагаемых моделях учитываются зависимости подвижностей носителей заряда от напряженности электрического поля, обусловленные междолинным переходом электронов и насыщением дрейфовых скоростей носителей заряда в GaAs. На основе полученных результатов сделаны выводы о существенном влиянии указанных физических эффектов на быстродействие интегральных фотодетекторов на основе материалов типа AIIIBV и необходимости их учета при моделировании подобных приборов. |
| Ключевые слова |
| | интегральные системы оптической коммутации, быстродействующие интегральные фотодетекторы, численное физико-топологическое моделирование, диффузионно-дрейфовая система уравнений, моделирование зависимостей подвижностей носителей заряда в GaAs от напряженности электрического поля. |
| Ссылка на статью |
| | Писаренко И.В., Рындин Е.А. Физико-топологическое моделирование фотодетекторов интегральных систем оптической коммутации на основе материалов типа AIIIBV с учетом зависимостей подвижностей носителей заряда от напряженности электрического поля // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2016. № 4. С. 16-23. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2016/pdf/D062.pdf |
