| Проектирование технологических процессов изготовления кремний-германиевых гетеробиполярных транзисторов |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Дроздов Д.Г. |
| | Савченко Е.М. |
| Год публикации |
| | 2014 |
| УДК |
| | 621.382.32 |
|
| Аннотация |
| | В статье представлены результаты приборно-технологического моделирования технологических процессов изготовления кремний-германиевых гетеробиполярных транзисторов. Представлены результаты по исследованию моделей ионной имплантации и диффузии германия, эпитаксиального роста пленок кремний-германий. Проведено моделирование конструктивных вариантов гетеробиполярных транзисторов с областью базы, сформированной с помощью селективной и неселективной эпитаксии. |
| Ключевые слова |
| | кремний-германий, гетеробиполярный транзистор, система приборно-технологического проектирования, селективная и неселективная эпитаксия |
| Ссылка на статью |
| | Дроздов Д.Г., Савченко Е.М. Проектирование технологических процессов изготовления кремний-германиевых гетеробиполярных транзисторов // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2014. Часть 2. С. 141-144. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2014/pdf/D102.pdf |
