| Исследование и разработка структур для экстракции параметров моделей схемотехнического учета дозовых радиационных эффектов субмикронных СБИС |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Титов А.И. |
| | Шелепин Н.А. |
| | Селецкий А.В. |
| Год публикации |
| | 2014 |
| УДК |
| | 621.382.2/.3 |
|
| Аннотация |
| | Рассматриваются проблемы схемотехнического моделирования радиационных эффектов, возникающих в субмикронных СБИС. Представлена разработка минимального набора тестовых структур для экстракции радиационно-зависимых параметров КМОП транзисторов изготавливаемых по технологии объёмного кремния. |
| Ключевые слова |
| | КМОП, космическое излучение, радиационная стойкость |
| Ссылка на статью |
| | Титов А.И., Шелепин Н.А., Селецкий А.В. Исследование и разработка структур для экстракции параметров моделей схемотехнического учета дозовых радиационных эффектов субмикронных СБИС // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2014. Часть 3. С. 149-154. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2014/pdf/D045.pdf |
