Главная
Авторы Статьи Год проведения Тематика Организации Конференция МЭС
Оптимизация напряжения пробоя в IGBT структуре по ее конструктивным и технологическим параметрам |
|
|
|
|
Авторы |
| Ловшенко И.Ю. |
| Нелаев В.В. |
| Шелибак И.М. |
| Турцевич А.С. |
Год публикации |
| 2012 |
УДК |
| 519.248 |
|
Аннотация |
| Напряжение пробоя в биполярном транзисторе как элементе высоковольтной IGBT структуры в решающей степени определяется распределением напряженности электрического поля вблизи боковой части коллекторного p–n–перехода. Это распределение зависит от напряжения, приложенного к p–n–переходу, распределения области пространственного заряда и концентрации примеси с обеих сторон p–n–перехода. Использование технологии охранных колец и полевых обкладок позволяет изменить распределение напряженности электрического поля и, следовательно, связанное с ним напряжение пробоя. В работе исследовано влияние конструктивных и технологических параметров IGBT структуры на напряжение пробоя. |
Ключевые слова |
| Биполярный транзистор с изолированным затвором, IGBT структура, конструкция, технология изготовления, вольт-амперные характеристики, напряжение пробоя, оптимизация. |
Ссылка на статью |
| Ловшенко И.Ю., Нелаев В.В., Шелибак И.М., Турцевич А.С. Оптимизация напряжения пробоя в IGBT структуре по ее конструктивным и технологическим параметрам // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2012. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2012. С. 203-206. |
Адрес статьи |
| http://www.mes-conference.ru/data/year2012/pdf/D158.pdf |
|
|