Главная
Авторы Статьи Год проведения Тематика Организации Конференция МЭС
Модель расчета I-V характеристик наноразмерного SiC МОП транзистора с глубокими примесями и уровнями захвата |
|
|
|
|
Авторы |
| Буниатян В.В. |
| Тамразян А.А. |
Год публикации |
| 2012 |
УДК |
| 621.382.32 |
|
Аннотация |
| Проведено теоретическое исследование зависимости стокового тока наноразмерного SiC МОП транзистора с учетом того, что примеси в канале транзистора являются глубокими, а в запрещенной зоне присутствуют центры захвата для электронов. Учтены зависимости подвижности носителей от температуры, электрического поля и концентрации примесей. Также учтены присутствие поверхностных состояний, двухмерное распределение потенциала под затвором и учтена зависимость порогового напряжения от длины и ширины канала. Предложена новая аналитическая модель расчета стокового тока транзистора с субмикронным каналом. |
Ключевые слова |
| карбид кремния (SiC), узко и короткоканальный МОП транзистор, I-V характеристики, подвижность носителей, глубокие легирирующие примеси, центры захвата. |
Ссылка на статью |
| Буниатян В.В., Тамразян А.А. Модель расчета I-V характеристик наноразмерного SiC МОП транзистора с глубокими примесями и уровнями захвата // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2012. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2012. С. 181-186. |
Адрес статьи |
| http://www.mes-conference.ru/data/year2012/pdf/D139.pdf |
|
|