| Особенности расчёта приборов на основе гетероструктур AlGaN/GaN в САПР приборно-технологического моделирования |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Дроздов Д.Г. |
| | Савченко Е.М. |
| | Сиомко В.О. |
| Год публикации |
| | 2012 |
| УДК |
| | 621.382.32 |
|
| Аннотация |
| | В статье рассматриваются особенности расчёта гетероструктур AlGaN/GaN и приборов на их основе в САПР приборно-технологического моделирования. Представлены методика расчёта, результаты измерений транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN, проведено сопоставление расчётных и экспериментальных данных. |
| Ключевые слова |
| | AlGaN/GaN, HEMT, САПР TCAD |
| Ссылка на статью |
| | Дроздов Д.Г., Савченко Е.М., Сиомко В.О. Особенности расчёта приборов на основе гетероструктур AlGaN/GaN в САПР приборно-технологического моделирования // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2012. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2012. С. 213-216. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2012/pdf/D98.pdf |
