Автономные параметры транзисторов базового матричного кристалла АБМК_1_3 в условиях радиационных и температурных воздействий |
|
|
|
|
Авторы |
| Прокопенко Н.Н. |
| Будяков П.С. |
| Серебряков А.И. |
Год публикации |
| 2012 |
УДК |
| 621.382 |
|
Аннотация |
| Исследуются режимная, радиационная и температурная зависимость автономных параметров транзисторов базового матричного кристалла АБМК_1_3. Приводятся аппроксимирующие функции, позволяющие количественно оценить влияние внешних воздействий на нулевой уровень и его дрейф аналоговых микросхем. Показаны направления практического использования моделей транзисторов при синтезе прецизионных дифференциальных каскадов. |
Ключевые слова |
| аналоговые микросхемы, теория автономного многополюсника, радиационное и температурное воздей-ствия, модели транзисторов, прецизионные дифференциальные усилители |
Ссылка на статью |
| Прокопенко Н.Н., Будяков П.С., Серебряков А.И. Автономные параметры транзисторов базового матричного кристалла АБМК_1_3 в условиях радиационных и температурных воздействий // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2012. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2012. С. 294-297. |
Адрес статьи |
| http://www.mes-conference.ru/data/year2012/pdf/D72.pdf |