| Особенности схемотехнического проектирования радиационно-стойких ИС на АБМК |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Крутчинский С.Г. |
| | Титов А.Е. |
| Год публикации |
| | 2012 |
| УДК |
| | 621.375 |
|
| Аннотация |
| | Рассматриваются результаты проектирования структурно-оптимальных принципиальных схем узлов радиационно-стойких ИС и СФ-блоков СвК, обладающих высокими метрологическими свойствами в условиях воздействия гаммы дестабилизирующих факторов – потока нейтронов, дозы радиации, температуры. Приведены принципиальные схемы узлов ИС на базе радиационно-стойкого аналого-базового матричного кристалла АБМК. Показана эффективность предложенных схемотехнических решений. |
| Ключевые слова |
| | собственная компенсация, радиационная стойкость, динамические нагрузки, коэффициент ослабления синфазного сигнала |
| Ссылка на статью |
| | Крутчинский С.Г., Титов А.Е. Особенности схемотехнического проектирования радиационно-стойких ИС на АБМК // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2012. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2012. С. 274-279. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2012/pdf/D47.pdf |
