Моделирование сбоеустойчивости 65 нм шеститранзисторных КМОП ячеек памяти к локальному воздействию импульса тока |
|
|
|
|
Авторы |
| Стенин В.Я. |
| Степанов П.В. |
Год публикации |
| 2012 |
УДК |
| 621.382+621.396.6 |
|
Аннотация |
| Определены характеристики чувствительности ячеек памяти с разными размерами транзисторов для проектной нормы 65 нм. Воздействие отдельной ядерной частицы моделировалось импульсом тока с постоянными времени нарастания 10 пс и спада 30 пс. Установлены пределы критических значений амплитуд импульсов тока IФ.М.КР и критических зарядов QКР для ячеек памяти в режимах записи, хранения и чтения. |
Ключевые слова |
| КМОП ячейка памяти; локальный импульс тока; критическая амплитуда тока; критический заряд. |
Ссылка на статью |
| Стенин В.Я., Степанов П.В. Моделирование сбоеустойчивости 65 нм шеститранзисторных КМОП ячеек памяти к локальному воздействию импульса тока // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2012. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2012. С. 419-422. |
Адрес статьи |
| http://www.mes-conference.ru/data/year2012/pdf/D34.pdf |