| Моделирование датчиков температуры мощных интеллектуальных ИС |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Петросянц К.О. |
| | Рябов Н.И. |
| Год публикации |
| | 2010 |
| УДК |
| | 621.38.049.77 |
|
| Аннотация |
| | В работе рассматривается моделирование датчиков температуры мощных интеллектуальных ИС, основанных на эффекте Зеебека. Исходной информацией для анализа служит предварительно рассчитанное распределение температуры на поверхности кристалла ИС. Также рассмотрены точечные датчики температуры, представляющие собой эмиттерные области малого размера. Для обоих типов датчиков температура определяется величиной тока. |
| Ключевые слова |
| | Мощные интеллектуальные ИС, тепловые режимы, датчики температуры, эффект Зеебека, автоматизированное проектирование. |
| Ссылка на статью |
| | Петросянц К.О., Рябов Н.И. Моделирование датчиков температуры мощных интеллектуальных ИС // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов / под общ. ред. академика А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2010. С. 80-85. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2010/papers/m10-347-00921.pdf |
