| Субмикронные КМОП цифровые элементы с повышенной устойчивостью к воздействию атмосферных нейтронов |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Ольчев С.И. |
| Год публикации |
| | 2010 |
| УДК |
| | 621.382.323 |
|
| Аннотация |
| | Основными эффектами воздействия атмосферных нейтронов на СБИС являются одиночные сбои. Моделирование функционирования элементов комбинационной логики, разработанных по нормам проектирования КМОП 0,18 мкм и 0,25 мкм, показало, что при том же быстродействии двухпортовые элементы комбинационной логики имеют как минимум на два порядка большую величину критического заряда, чем элементы традиционной КМОП схемотехники. Предложена методика уменьшения величины чувствительных областей двухпортовых элементов. По критерию помехо-устойчивости обоснован выбор схемы конверторного элемента с третьим состоянием, преобразующий двухфазный сигнал в однофазный. |
| Ключевые слова |
| | сбоеустойчивость, цифровые логические элементы. |
| Ссылка на статью |
| | Ольчев С.И. Субмикронные КМОП цифровые элементы с повышенной устойчивостью к воздействию атмосферных нейтронов // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов / под общ. ред. академика А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2010. С. 261-264. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2010/papers/m10-365-75551.pdf |
