| Результаты приборно-технологического моделирования комплементарной биполярной технологии с граничной частотой 10 ГГц и более |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Дроздов Д.Г. |
| | Савченко Е.М. |
| | Зубков А.М. |
| Год публикации |
| | 2010 |
| УДК |
| | 621.382.3 |
|
| Аннотация |
| | В статье рассматриваются результаты приборно-технологического моделирования комплементарной биполярной технологии, обеспечивающей граничную частоту транзисторов 10 ГГц и пробивное напряжение Vce=12 В. Технология изготовления включает в себя использование двух слоев поликремния, технологию самосовмещения, а также комбинированную изоляцию элементов микросхемы. Моделирование проводится с помощью программного комплекса Sentaurus TCAD компании Synopsys. |
| Ключевые слова |
| | ИМС, npn- и pnp-транзисторы, гранич-
ная частота, САПР TCAD. |
| Ссылка на статью |
| | Дроздов Д.Г., Савченко Е.М., Зубков А.М. Результаты приборно-технологического моделирования комплементарной биполярной технологии с граничной частотой 10 ГГц и более // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов / под общ. ред. академика А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2010. С. 66-69. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2010/papers/m10-216-85882.pdf |
