| Разработка оптимальной конструкции датчика магнитного поля на основе латерального магнитотранзистора с помощью средств приборно-технологического моделирования |
|
|
| Авторы |
| | Козлов А.В. |
| | Парменов Ю.А. |
| Год публикации |
| | 2005 |
| УДК |
| | 621.38 |
|
| Аннотация |
| | В докладе представлены результаты исследования влияния скорости поверхностной рекомбинации на величину и знак относительной магнитной чувствительности двухколлекторного биполярного магниточувствительного транзистора, сформированного в подложке. |
| Ключевые слова |
| | датчик магнитного поля, латеральный магнитотранзистор, средства приборно-технологического моделирования |
| Ссылка на статью |
| | Козлов А.В., Парменов Ю.А. Разработка оптимальной конструкции датчика магнитного поля на основе латерального магнитотранзистора с помощью средств приборно-технологического моделирования // Проблемы разработки перспективных микроэлектронных систем - 2005. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2005. С. 179-184. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2005/26.doc |
