| Приборно-технологическое моделирование SiGe биполярных и МОП транзисторных структур СБИС |
|
|
| Авторы |
| | Торговников Р.А. |
| Год публикации |
| | 2005 |
| УДК |
| | 621.38 |
|
| Аннотация |
| | В настоящей работе реализована передовая методика приборно-технологического проектирования SiGe БиКМОП приборов, используемая компанией IBM. С помощью средств САПР ISE-TCAD проведено моделирование современных биполярных гетеропереходных транзисторов (SiGe ГБТ) и МОП-транзисторов с Si/SiGe гетеропереходным каналом (SiGe ГМОПТ). Исследовались зависимости основных параметров транзисторов: для ГБТ – коэффициента усиления по току и граничной частоты fT, для ГМОПТ – входных gm и выходных gds проводимостей, пороговых напряжений, граничной частоты от доли x германия и профиля его распределения в рабочих областях приборов, а также геометрических размеров структуры транзисторов. По результатам расчета совокупности статических и динамических характеристик SiGe ГБТ и ГМОПТ проводилась экстракция параметров их схемотехнических моделей для программы SPICE. |
| Ключевые слова |
| | Приборно-технологическое моделирование |
| Ссылка на статью |
| | Торговников Р.А. Приборно-технологическое моделирование SiGe биполярных и МОП транзисторных структур СБИС // Проблемы разработки перспективных микроэлектронных систем - 2005. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2005. С. 173-178. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2005/25.doc |
