| Исследование характеристик искусственной индуктивности на МОП транзисторах |
|
|
| Авторы |
| | Буниатян В.В. |
| | Траваджян Г.М. |
| | Траваджян Л.М. |
| Год публикации |
| | 2008 |
| УДК |
| | 621.38 |
|
| Аннотация |
| | Рассмотрена схема реализации искусственной индуктивности на МОП транзисторах. Определены условия возникновения режима отрицательного
динамического активного сопротивления. Исследованы
зависимости величины отрицательного эквивалентного
сопротивления от коэффициента усиления операционного усилителя, а также от параметров МОП транзистора. Используя результаты исследования на основе предложенной схемы, может быть реализован режим генерации колебаний. |
| Ключевые слова |
| | искусственная индуктивность |
| Ссылка на статью |
| | Буниатян В.В., Траваджян Г.М., Траваджян Л.М. Исследование характеристик искусственной индуктивности на МОП транзисторах // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2008. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2008. С. 390-393. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2008/72.pdf |
