Использование САПР TCAD в проектировании планарных мощных МОП-транзисторов, имеющих повышенное пробивное напряжение в закрытом состоянии |
|
|
Авторы |
| Королев М.А. |
| Красюков А.Ю. |
Год публикации |
| 2005 |
УДК |
| 621.38 |
|
Аннотация |
| Создана упрощенная параметризованная модель для проведения начального этапа расчетной оптимизации планарного мощного МОП–транзистора с целью увеличения его пробивного напряжения. |
Ключевые слова |
| САПР TCAD, планарные мощные МОП-транзисторы. |
Ссылка на статью |
| Королев М.А., Красюков А.Ю. Использование САПР TCAD в проектировании планарных мощных МОП-транзисторов, имеющих повышенное пробивное напряжение в закрытом состоянии // Проблемы разработки перспективных микроэлектронных систем - 2005. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2005. С. 159-164. |
Адрес статьи |
| http://www.mes-conference.ru/data/year2005/23.doc |