| Приборно-технологическое моделирование элементной базы КМОП КНИ БИС с учётом факторов радиационного воздействия |
|
|
| Авторы |
| | Харитонов И.А. |
| | Петросянц К.О. |
| | Орехов Е.В. |
| | Ятманов А.П. |
| | Самбурский Л.М. |
| Год публикации |
| | 2008 |
| УДК |
| | 621.38 |
|
| Аннотация |
| | Описана доработка системы ISE TCAD по расширению возможностей в части учета эффектов радиационного воздействия на КМОП КНИ структуры. Отработана методика моделирования в ISE TCAD воздействия суммарной полученной дозы, импульсного излучения, отдельных частиц на КМОП КНИ структуры. Приведены примеры моделирования эффектов суммарной поглощенной дозы и воздействия одиночных частиц на элементы КМОП КНИ БИС. |
| Ключевые слова |
| | Приборно-технологическое моделирование, КМОП КНИ БИС, радиационное воздействие |
| Ссылка на статью |
| | Харитонов И.А., Петросянц К.О., Орехов Е.В., Ятманов А.П., Самбурский Л.М. Приборно-технологическое моделирование элементной базы КМОП КНИ БИС с учётом факторов радиационного воздействия // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2008. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2008. С. 266-271. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2008/48.pdf |
