| Особенности моделирования SiGe:C гетеропереходного биполярного транзистора |
|
|
| Авторы |
| | Петросянц К.О. |
| | Торговников Р.А. |
| Год публикации |
| | 2008 |
| УДК |
| | 621.38 |
|
| Аннотация |
| | в работе изложены особенности моделирования SiGe:C гетеропереходных биполярных транзисторов. Методом приборно-технологического моделирования исследованы зависимости граничной частоты fT
и напряжения пробоя BVcbo коллекторного перехода
SiGe:C ГБТ от концентрации углерода в базе. |
| Ключевые слова |
| | моделирование SiGe:C гетеропереходного биполярного транзистора |
| Ссылка на статью |
| | Петросянц К.О., Торговников Р.А. Особенности моделирования SiGe:C гетеропереходного биполярного транзистора // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2008. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2008. С. 231-234. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2008/40.pdf |
