Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Исследование влияния конструктивно-технологических факторов на чувствительность магнитотранзистора методами приборно-технологического моделирования

Авторы
 Козлов А.В.
 Тихонов Р.Д.
 Парменов Ю.А.
Год публикации
 2008
УДК
 621.38

Аннотация
 Средствами системы приборно-технологического моделирования ISE TCAD проведено исследование влияния конструктивно-технологических факторов и режима работы двухколлекторного биполярного магниточувствительного транзистора на его относительную токовую чувствительность.
Ключевые слова
 магнитотранзистор, приборно-технологическое моделирование
Ссылка на статью
 Козлов А.В., Тихонов Р.Д., Парменов Ю.А. Исследование влияния конструктивно-технологических факторов на чувствительность магнитотранзистора методами приборно-технологического моделирования // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2008. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2008. С. 183-188.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2008/31.pdf

Copyright © 2009-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН