| Использование фотослоев для формирования биполярных транзисторов в базовом КМОП-процессе |
|
|
| Авторы |
| | Адамов Ю.Ф. |
| | Горшкова Н.М. |
| | Крупкина Т.Ю. |
| Год публикации |
| | 2006 |
| УДК |
| | 621.383 |
|
| Аннотация |
| | В работе рассмотрены возможности создания биполярных транзисторов в стандартном КМОП – процессе, дополненном оптическими слоями
N – типа. На основании результатов моделирования
показана возможность получения транзисторов с
удовлетворительными параметрами. Получены
расчетные и экспериментальные характеристики
нескольких конструктивных вариантов npn
транзисторов, выявлена зависимость коэффициента
усиления от ширины эмиттера. |
| Ключевые слова |
| | Биполярный транзистор, КМОП-процесс, профиль легирования, оптический слой |
| Ссылка на статью |
| | Адамов Ю.Ф., Горшкова Н.М., Крупкина Т.Ю. Использование фотослоев для формирования биполярных транзисторов в базовом КМОП-процессе // Проблемы разработки перспективных микроэлектронных систем - 2006. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2006. С. 421-425. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2006/77.pdf |
