Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Приборно-технологическое моделирование травления жертвенного слоя в чувствительном элементе микроболометрической ИК матрицы на базе КНИ структуры
Авторы
	Евсиков И.Д.
	Демин Г.Д.
	Дюжев Н.А.
	Фетисов Е.А.
	Хафизов Р.З.
Год публикации
	2022
DOI
	10.31114/2078-7707-2022-4-228-233
УДК
Аннотация
	В настоящее время большое внимание исследователей привлекает разработка неохлаждаемых ИК матричных микроболометров на базе КНИ структур, что обусловлено их высоким быстродействием и температурной чувствительностью по сравнению с другими болометрическими и термопарными сенсорными элементами, работающими в ИК спектре длин волн. Важным параметром таких КНИ микроболометров является полезная площадь диэлектрической (SiO2) мембраны, поглощающей ИК излучение, и ее хорошая тепловая изоляция, что требует технологического подбора режимов травления жертвенного слоя (Si) через матрицу сквозных отверстий (окон) в SiO2 мембране. В работе проведено TCAD моделирование газофазного травления жертвенного Si слоя с учётом его толщины и размера окон. Показано, что уменьшение размера окон от 120 до 80 мкм2 приводит к снижению в 2 раза времени травления (от 480 до 240 секунд) и обеспечивает эффективное увеличение полезной поверхности чувствительного элемента микроболометра, которая разогревается от ИК излучения. Полученные результаты могут быть полезны в процессе отработки технологических операций изготовления ИК микроболометрических матриц на КНИ подложках.
Ключевые слова
	МЭМС технология, неохлаждаемый ИК микроболометр, КНИ структура, химическое травление, TCAD моделирование, термопары, тепловой сенсор, жертвенный слой, диэлектрическая мембрана
Ссылка на статью
	Евсиков И.Д., Демин Г.Д., Дюжев Н.А., Фетисов Е.А., Хафизов Р.З. Приборно-технологическое моделирование травления жертвенного слоя в чувствительном элементе микроболометрической ИК матрицы на базе КНИ структуры // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2022. Выпуск 4. С. 228-233. doi:10.31114/2078-7707-2022-4-228-233
Адрес статьи
	http://www.mes-conference.ru/data/year2022/pdf/D069.pdf