| Оценка влияния конструктивно-технологических параметров на чувствительность nМОП-дозиметра на базе КМОП-технологии |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Бекенова А.Т. |
| | Артамонова Е.А. |
| | Красюков А.Ю. |
| Год публикации |
| | 2022 |
| DOI |
| | 10.31114/2078-7707-2022-3-89-94 |
| УДК |
| | 621.3.049.771 |
|
| Аннотация |
| | С использованием средств TCAD проведена оценка влияния радиационного воздействия в диапазоне доз 20кРад – 1000кРад и толщины подзатворного окисла на сдвиг порогового напряжения и чувствительность nМОП-дозиметра на базе КМОП-технологии с изоляцией LOCOS, в котором роль подзатворного окисла выполняет толстый изолирующий слой (FOXFET). Модель FOXFET сформирована в TCAD посредством моделирования КМОП-технологического маршрута с проектными нормами 0.6 мкм. Результаты моделирования показали, что чувствительность падает с ростом дозы облучения, наибольший спад наблюдается при малых дозах до 50 кРад, при дальнейшем увеличении дозы вплоть до 1000кРад наблюдается плавное снижение, которое можно объяснить постепенным насыщением ловушек в окисле зарядом. Существенный рост чувствительности прибора наблюдается с ростом толщины окисла. С помощью моделирования также рассчитаны зависимости чувствительности дозиметра от режимов формирования локального окисла. |
| Ключевые слова |
| | МОП-транзистор, моделирование, TCAD, дозиметр радиации, электрические характеристики. |
| Ссылка на статью |
| | Бекенова А.Т., Артамонова Е.А., Красюков А.Ю. Оценка влияния конструктивно-технологических параметров на чувствительность nМОП-дозиметра на базе КМОП-технологии // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2022. Выпуск 3. С. 89-94. doi:10.31114/2078-7707-2022-3-89-94 |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2022/pdf/D033.pdf |
