Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Воздействие электростатического разряда на транзистор с учётом ёмкости посадочного места
Авторы
	Дроздова А.А.
	Николаев И.И.
	Комнатнов М.Е.
Год публикации
	2022
DOI
	10.31114/2078-7707-2022-2-47-52
УДК
	621.382.32
Аннотация
	Исследуется воздействие электростатического разряда (ЭСР) на силовые транзисторы, расположенные на печатной плате (ПП), с учётом ёмкости их посадочных мест и слоя припоя. Созданы квазистатические модели посадочных мест корпусов для поверхностного монтажа типоразмеров ТО 220 и TO-263 для полевых транзисторов IRFZ46N и IRF4905SPbF соответственно. Выполнен расчёт ёмкостей посадочных мест с учётом слоя припоя на электродах транзистора и без него. На основе вычисленных ёмкостей, созданы схемотехнические модели посадочных мест корпусов, а также принципиальная электрическая схема воздействия ЭСР на транзистор. Представлены результаты моделирования воздействия ЭСР на транзисторы с учётом и без учёта ёмкости посадочных мест. Показано, что ёмкость посадочного места со слоем припоя влияет на значение пробивного напряжения подзатворного диэлектрика транзистора при воздействии ЭСР. Выявлено, что критичными уровнями напряжения для работоспособности транзисторов IRFZ46N и IRF4905SPbF являются 3 и 3,5 кВ, при которых происходит пробой подзатворного диэлектрика. Различие результатов моделирования и эксперимента составило не более 2%.
Ключевые слова
	электромагнитная совместимость, электростатический разряд, электронные компоненты, транзистор, напряжение пробоя.
Ссылка на статью
	Дроздова А.А., Николаев И.И., Комнатнов М.Е. Воздействие электростатического разряда на транзистор с учётом ёмкости посадочного места // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2022. Выпуск 2. С. 47-52. doi:10.31114/2078-7707-2022-2-47-52
Адрес статьи
	http://www.mes-conference.ru/data/year2022/pdf/D019.pdf