Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Особенности проектирования сложных стандартных ячеек в передовых FinFET технологиях
Авторы
	Калашников В.С.
	Семёнов М.Ю.
Год публикации
	2022
DOI
	10.31114/2078-7707-2022-1-35-42
УДК
Аннотация
	Продолжающееся масштабирование размеров планарной КМОП технологии ведет к разработке новых методов для глубоко-субмикронных передовых процессов. Технология полевого транзистора с трехмерной структурой в форме плавника (Fin Field-Effect Transistor, FinFET) становится одним из главных направлений при переходе к нормам проектирования 16нм и ниже. Предоставляя ряд возможностей и преимуществ для разработки ИС FinFET технология поднимает множество вопросов относительно применения имеющихся методологий, средств и маршрутов проектирования. В то время как производители САПР не предлагают каких-либо абсолютно инновационных подходов к разработке СнК для передовых процессов, FinFET технология должна быть эффективно адаптирована к существующим маршрутам проектирования с учетом ее особенностей. Данная статья включает обзор основных проблем использования технологии FinFET 16нм при разработке библиотек стандартных ячеек, являющихся неотъемлемой частью любого цифрового маршрута проектирования. Сформулированы общие рекомендации при проектировании стандартных ячеек в FinFET технологии, а также представлены особенности разработки сложных ячеек с применением многорядной топологической архитектуры. Предложенные рекомендации опробованы на примере разработки многоразрядных триггеров, обеспечивающих эффективное, с точки зрения занимаемой площади, решение для малопотребляющих приложений.
Ключевые слова
	FinFET технология, передовой процесс, цифровая библиотека, библиотека стандартных ячеек, логическая библиотека, малопотребляющая стандартная ячейка, многорядная топологическая архитектура, многоразрядный триггер.
Ссылка на статью
	Калашников В.С., Семёнов М.Ю. Особенности проектирования сложных стандартных ячеек в передовых FinFET технологиях // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2022. Выпуск 1. С. 35-42. doi:10.31114/2078-7707-2022-1-35-42
Адрес статьи
	http://www.mes-conference.ru/data/year2022/pdf/D001.pdf