Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

SPICE-модель для учета влияния эффекта горячих носителей в биполярных транзисторах
Авторы
	Кожухов М.В.
	Мухаметдинова А.Р.
Год публикации
	2021
DOI
	10.31114/2078-7707-2021-4-81-85
УДК
	004.942: 621.382.33
Аннотация
	В статье представлена SPICE-модель кремний-германиевого (SiGe) гетеропереходного биполярного транзистора (ГБТ), позволяющая проводить схемотехническое моделирование устройств с учетом влияния горячих носителей заряда на их электрические характеристики. Представленная SPICE модель SiGe ГБТ разработана с использованием макромодельного подхода. Ядро представленной макромодели является стандартная SPICE-модель биполярного транзистора (GP, VBIC, HICUM, MEXTRAM), к которой подключены дополнительные элементы, учитывающие влияния эффектов старения при различных режимах работы транзистора. В работе представлены результаты сравнения измеренных данных и результатов моделирования. Расхождение экспериментальных данных и результатов моделирования составляет не более 5–10% для статических характеристик SiGe ГБТ. Кроме того, разработана и представлена методика экстракции дополнительных параметров SPICE-макромодели, описывающих влияние горячих носителей заряда.
Ключевые слова
	SPICE-модели, схемотехническое моделирование, гетеропереходные биполярные транзисторы, старение, горячие носители заряда.
Ссылка на статью
	Кожухов М.В., Мухаметдинова А.Р. SPICE-модель для учета влияния эффекта горячих носителей в биполярных транзисторах // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2021. Выпуск 4. С. 81-85. doi:10.31114/2078-7707-2021-4-81-85
Адрес статьи
	http://www.mes-conference.ru/data/year2021/pdf/D079.pdf